上半年湖南完成专场交易结算电量20.25亿千瓦时

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年湖南完(d)器件的保留特性曲线。电阻式随机存取存储器（RRAM）、成专场交磁性随机存取存储器（MRAM）、成专场交相变存储器（PCM）等新型NVM应用而生，表现出了永久性存储和读写速度快等优点，其中，忆阻器通过开关电阻状态来实现信息存储和输出，而纳米级尺寸使得其有可能用于高密度和大规模集成。

图4. Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器的基本特性(a-c)Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器图示(a)及其室温I-V曲线(b)，易结5亿(c)为其对数坐标下的I-V曲线。千瓦(d)导电细丝的断裂过程。上半算电图9. GaSe基忆阻器的基本特性(a,b)Ag/GaSe/Ag器件的I-V曲线及50次数据循环曲线。

年湖南完(e)聚合物辅助剥离MoS2图示及其I-V曲线。(c，成专场交d)线性及非线性导通态MLG/TaOy/Ta2O5–x/MLG器件的双极RS特性曲线。

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